Power Electronics
- Galliumnitrid-Leistungselektronik
- DC/DC 12 V/75 V Buck-Boost-Bidirektional
- 3-fach galvanisch getrennte Hi-Side-Versorgung mit Drucktransformator
- Strommessung
- Präziser und kostengünstiger Drehpositionssensor (Genauigkeit: ∆φel = ±0,5°el)
- EMV-Kompetenz für hohe Schaltgeschwindigkeiten
- Kundenspezifische Ferrite für kleine und mittlere Stückzahlen
- Patentierte Kühltechnologie einschließlich
- Anschluss der Leistungselektronik
Ausgangslage:
Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial mit großem Bandabstand, das eine höhere Leistungsdichte und einen besseren Wirkungsgrad ermöglicht als traditionelle Silizium-basierte Halbleiter wie MOSFETs oder IGBTs. Es leitet Elektronen effizienter und kann höheren elektrischen Feldern und Temperaturen standhalten, was es ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik mach
4motec Lösung:
- Automotive: „Erhöht Reichweite von E-Fahrzeugen.“
- Industrie: „Senkt Energiekosten.“
- Medizintechnik: „Miniaturisierung mit maximaler Zuverlässigkeit.“
Anwendung für:
- Automotive und E-Mobilität,
- Erneuerbare Energien (PV, Wind, Speicher),
- IT & Telekommunikation / Rechenzentren,
- Konsumerelektronik,
- Luft- und Raumfahrt,
- Bahn und Transport,
- Industrieautomation und Robotik
Vorteile für Kunden:
Galliumnitrid (GaN) bietet gegenüber herkömmlichem Silizium in der Elektronik zahlreiche Vorteile, darunter:
- schnellere Schaltgeschwindigkeiten,
- geringerer Durchlasswiderstand, höhere Effizienz,
- geringere Größe und höhere Leistungsdichte,
- verbesserte thermische Leistung.
Beispiel: Analyse von Motorantriebs-DC-AC-Wechselrichtern bis zu 10 kW (Fortsetzung) berücksichtigt eine durchschnittliche verfügbare Batteriespannung von 50,4 V
4motec GAN-Lösungen umfassen Kühlungsanforderungen
